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By Boylestad

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5) es precisa sólo con valores de ID en la sección de levantamiento vertical de la curva. Con valores menores de ID, n ϭ 2 (silicio) y el valor de rd obtenido debe multiplicarse por un factor de 2. 5) se vuelve inapropiada. Todos los niveles de resistencia determinados hasta ahora fueron definidos por la unión p-n y no incluyen la resistencia del material semiconductor propiamente dicho (llamada resistencia del cuerpo) y la resistencia introducida por la conexión entre el material semiconductor y el conductor metálico externo (llamada resistencia de contacto).

Si continuamos x ϭ 10, la curva salta a más de 22,000. Es evidente, por consiguiente, que a medida que se incrementa el valor de x, la curva se vuelve casi vertical, una conclusión importante que se habrá de recordar cuando examinemos el cambio de la corriente con valores crecientes del voltaje aplicado. 15 que con valores negativos de VD la corriente en esencia es horizontal al nivel de ϪIs. 15. El cambio abrupto de dirección de la curva en VD ϭ 0 V se debe al cambio de las escalas de corriente de arriba hacia abajo del eje.

Como los óhmetros en general emplean una fuente de corriente relativamente constante, la resistencia determinada será un nivel de corriente preestablecido (por lo general de algunos miliamperes). En general, por consiguiente, cuanto mayor sea la corriente a través de un diodo, menor será el nivel de resistencia de cd. 24 con a. ID = 2 mA (bajo nivel) b. ID = 20 mA (alto nivel) c. VD = - 10 V (polarizado en inversa) Silicio FIG. 3. Solución: a. 5 V = 250 æ = ID 2 mA b. 8 V = 40 æ = ID 20 mA NIVELES DE RESISTENCIA c.

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