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By J.J. Cathey

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E n e l umbral d e conducción para D2, l a corriente "apagado" hasta que sea a través de D2 es cero; así, Por lo tanto, por la ley de Ohm, Así pues, se ha movido a la figura 2-33. 21 en . 24 Trace la característica de entrada de la red que se observa en la figura 2-34a) cuando a) el interruptor está abierto y b) cuando está cerrado. Fiaura 2-34 La solución se encuentra más fácilmente si la fuente de corriente y resistor se reemplazan por los equivalentes de Thévenin DIODOS SEMICONDUCTORES 53 a)LVK b) d a l a cual e s l a ecuación d e una línea recta que s e interseca con e l e j e y e l La pendiente de la línea es Se traza la característica mostrada en la figura 2-34b).

En los diodos que se encuentran en el mercado, la impurificación apropiada (adición de impurezas) del material base produce las diferentes características estáticas para cada diodo. En la figura 2-5 se ve una comparación de ambos tipos de diodos muestran una las características del diodo de Si y para el de Ge. mientras que para corriente inversa casi constante /fl. En general, Sí en el caso de los diodos de nivel de señal (especificaciones de corriente directa menores que 1 A). 7 v para Si. 3 Encuentre el porcentaje de incremento de la corriente de saturación inversa de un diodo si la temperatura se incrementa de 25 a 50 X).

Trazamos una gráfica escalada de con el eje paralelo al eje vD de la curva característica del diodo. Luego consideramos el componente ca de para estar momentáneamente en cero (f =0) y graficamos una línea de carga para este instante en la característica del diodo. Esta línea de carga particular se llama línea de carga de cd, y su intersección con la curva característica del diodo se denomina punto estático o punto Q. Los valores de en el punto Q se l l a m a n r e s p e c t i v a m e n t e , en la figura 2-9b).

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